存儲芯片概念25日盤中再度走強，截至發(fā)稿，佰維存儲漲超12%，股價續(xù)創(chuàng)歷史新高；圣邦股份、協(xié)創(chuàng)數(shù)據(jù)等漲超10%，超穎電子、三孚股份漲停，江波龍漲近8%，德明利漲約7%亦創(chuàng)出新高。
佰維存儲24日晚間公告，公司與某存儲原廠簽訂日常經(jīng)營性采購合同，公司同意按合同約定的數(shù)量、價格及時間向該供應商采購某款存儲晶圓，合同總承諾采購金額為15億美元，承諾采購期總計24個月。
公告稱，根據(jù)合同相關約定，公司每12個月內(nèi)對該產(chǎn)品的采購量，占2025年公司NANDFlash采購總量的11.1%和2025年公司NANDFlash銷售總量的18.01%，占比均較小。公司簽訂合同提前鎖定未來24個月的部分基礎用量，與公司業(yè)務規(guī)模及業(yè)務規(guī)劃匹配，風險整體可控。
另據(jù)韓聯(lián)社日前報道，三星電子工會成員以93.1%的贊成率通過了集體斗爭行動議案，工會計劃于4月23日舉行集會，并在5月21日至6月7日舉行為期18天的全國總罷工。
中信證券指出，若罷工如期舉行，或?qū)⒂绊懭窃陧n國平澤半導體園區(qū)的芯片生產(chǎn)線，沖擊該園區(qū)DRAM、NAND閃存及HBM芯片的產(chǎn)能釋放。而產(chǎn)線一旦停產(chǎn)，想要復產(chǎn)需要重新檢測和啟動生產(chǎn)鏈的過程亦十分耗費時間和人力資源。2026年以來，在AI的強勁需求推動下，存儲芯片仍是供需偏緊的格局，價格不斷上漲。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2025年四季度三星電子在全球DRAM市場份額為36.6%，根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，2025年四季度三星電子在全球NAND市場份額為28%，三星電子可能的停產(chǎn)風險或?qū)⑦M一步加劇全球存儲芯片市場的供應緊張。
該機構(gòu)認為，存儲漲價和高景氣度有望貫穿2026年全年，而三星電子可能的總罷工行動對國內(nèi)存儲大廠而言也是擴大市場、提升市占率的機會。近年來國內(nèi)存儲大廠的產(chǎn)能建設與技術(shù)突破進展快速。國產(chǎn)3DNAND產(chǎn)品在2025年已實現(xiàn)232層閃存的量產(chǎn)并繼續(xù)往更高堆疊層數(shù)迭代。國產(chǎn)DRAM產(chǎn)品已實現(xiàn)主流第四代、第五代DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等的量產(chǎn)。國內(nèi)存儲大廠的產(chǎn)能擴張及技術(shù)迭代有望在“十五五”時期加速，全球市占率有望持續(xù)提升。在存儲產(chǎn)品全球緊缺、產(chǎn)品價格和盈利能力不斷上行、國內(nèi)廠商全球市場份額仍然較低、國內(nèi)產(chǎn)業(yè)政策大力支持的背景下，看好存儲大廠擴產(chǎn)帶來的需求增量，材料及零部件端核心供應商的成長性及向上空間具有較強的確定性。
