證券時報
陳霞昌
2025-12-19 17:15
存儲芯片，再傳漲價消息！
昨夜，美股三大指數(shù)全線上漲，科技股多數(shù)走高，英特爾漲超10%，Meta漲超2%。此外，美股存儲概念股集體異動，閃迪（SanDisk）一度大漲超10%，截至收盤，閃迪漲3.83%，美光科技漲近3%，西部數(shù)據(jù)漲3.54%。
從消息面來看，存儲芯片漲價傳聞不斷。11月28日，據(jù)36氪報道，全球DRAM市場出現(xiàn)供不應求態(tài)勢，存儲芯片價格正在飛速提升。其中，512GB存儲較上月上漲近500元。
戴爾、惠普等科技公司近日警告稱，由于人工智能基礎設施建設的需求激增，明年可能出現(xiàn)存儲芯片供應短缺。市場研究機構Counterpoint Research表示，今年以來內存價格已累計上漲50%，而受關鍵芯片短缺影響，到明年第二季度，內存價格將在當前基礎上再上漲50%。
存儲芯片漲價
據(jù)36氪消息，知情人士透露，受全球AI算力需求激增影響，全球DRAM市場出現(xiàn)供不應求態(tài)勢，存儲芯片價格正在飛速提升。其中，512GB存儲較上月上漲近500元。目前，手機終端市場面臨的漲價風險最大，部分廠商已暫停采購存儲芯片。業(yè)內預計，接下來手機產(chǎn)品將迎來一波漲價潮。
值得關注的是，在存儲芯片短缺的背景下，PC廠商也頻繁發(fā)出漲價預警。戴爾首席運營官杰夫·克拉克本周二在分析師電話會議上表示，公司從未見過“成本以當前這樣的速度變動”。他表示，公司已經(jīng)看到，從用于AI的高帶寬內存到個人電腦芯片的DRAM，以及硬盤和NAND閃存的供應都變得更加緊張，所有產(chǎn)品的成本基礎都在上升?？死吮硎?，當前部分存儲芯片面臨短缺，公司可能考慮調高部分設備定價。
惠普公司首席執(zhí)行官Enrique Lores指出，2026年下半年將面臨特別嚴峻的挑戰(zhàn)，必要時將提高產(chǎn)品價格。Lores說道：“對于下半年，我們在指導方面采取謹慎態(tài)度，同時我們正在實施積極的行動，例如引入更多內存供應商并在產(chǎn)品中減少內存用量。”該公司估計，內存占一臺典型個人電腦成本的15%至18%。
聯(lián)想集團董事長楊元慶近日表示，包括存儲在內的零部件的短缺和價格上漲不會是短期的，預計整個2026年都將維持這一態(tài)勢。楊元慶稱，現(xiàn)在AI進入了深入普惠的階段，大規(guī)模基礎設施投資的下一步，將會催生更多終端設備的發(fā)展和應用的發(fā)展，就像當年互聯(lián)網(wǎng)基礎設施高速成長催生了更多的電腦終端以及互聯(lián)網(wǎng)應用。這直接反映在零部件市場的需求上，尤其是內存、閃存、固態(tài)硬盤等需求劇烈增長，以及帶來價格上升。作為應對，楊元慶表示，聯(lián)想已與核心零部件供應商簽訂了最優(yōu)合約，確保明年有足夠的供應保障。接下來兩個季度，PC業(yè)務和服務器業(yè)務都預計保持雙位數(shù)增長。
近日，在小米業(yè)績電話會上，小米集團合伙人、總裁盧偉冰也談及存儲成本攀升問題。他指出，當前內存價格上漲是長周期行為，主要驅動力來自AI帶來的HBM需求激增，而非傳統(tǒng)的手機、筆記本行業(yè)周期波動。盧偉冰透露，小米已提前布局，與合作伙伴簽訂了2026年全年供應協(xié)議，確保全年供應不受影響，并表示未來可能通過漲價和產(chǎn)品結構升級來緩解成本壓力。
價格還要漲50%？
根據(jù)Counterpoint Research發(fā)布的《GenAI 的內存解決方案》雙周報告，今年以來內存價格已累計上漲50%。受關鍵芯片短缺影響，內存價格預計將在2026年第二季度之前再上漲約50%。
Counterpoint指出，當前的核心問題之一是傳統(tǒng)LPDDR4供給趨緊。為了滿足AI對先進新品的強勁需求，供應商紛紛將產(chǎn)能轉向更高端的工藝，導致整體市場結構被打亂?，F(xiàn)貨市場價格出現(xiàn)倒掛：服務器和PC使用的DDR5交易價格約為每千兆位（Gb）1.50美元，而用于消費電子產(chǎn)品的老款DDR4價格卻高達2.10美元，甚至高于目前約1.70美元的先進HBM3e。
Counterpoint預測，2026年主要芯片廠商的DRAM產(chǎn)量將增長超過20%。該公司的研究總監(jiān)MS Hwang表示：“三星可能會調整其不斷擴大的1C工藝產(chǎn)能分配；SK海力士正在提升產(chǎn)量并上調銷售目標；長鑫可能會帶來超預期表現(xiàn)；而一貫重視投資回報率的美光也不太可能繼續(xù)按兵不動。”
當前的芯片短缺主要集中在傳統(tǒng)產(chǎn)品端，這對使用LPDDR4的經(jīng)濟型智能手機等低價消費電子產(chǎn)品造成了影響。Hwang說：“真正更大的風險來自先進內存，英偉達近期轉向LPDDR意味著其需求量已達到大型智能手機制造商的規(guī)?！@對供應鏈來說是一個巨大的沖擊，因為它無法輕易消化如此大規(guī)模的需求?！?/p>
傳統(tǒng)上，服務器依賴DDR ECC（糾錯碼）內存以保證可靠性，而英偉達選擇轉向使用LPDDR，以實現(xiàn)更低的功耗，并將糾錯邏輯轉移到CPU側，而非依賴DDR5 ECC。因此，在供應極度受限的情境下，Counterpoint預測2025年一季度至2026年底，DDR5 64GB RDIMM的DRAM模組的價格將上漲兩倍。
隨著普通內存芯片的供應已趨緊，全球內存芯片行業(yè)似乎正加劇邁入許多分析師所稱的“超級周期”，設備制造商正瘋狂囤積內存芯片。半導體分銷商Fusion Worldwide總裁Tobey Gonnerman表示：“過去一兩個月需求激增。市場變化確實快得驚人。搶購行為正在加劇，且將持續(xù)升級?？蛻羝毡椴扇×穗p倍/三倍下單策略，這與以往多次短缺時的情形如出一轍?！?/p>
彭博社指出，內存芯片價格的大幅上漲，推動三星電子、SK海力士以及美光科技的股價在近幾個月以來大幅上漲。上個月，SK海力士表示，其明年的全部內存芯片產(chǎn)能已售罄，而美光科技預計供應緊張局面將持續(xù)到2026年。專注于NAND生產(chǎn)的鎧俠的股票自去年12月上市以來已上漲數(shù)倍，這同樣受益于緊張的供應環(huán)境。
CLSA韓國證券研究主管Sanjeev Rana表示：“所有與內存相關的領域——無論是先進內存還是傳統(tǒng)內存——都面臨強勁需求，而供應卻跟不上。我們可能會看到這次DRAM和NAND的價格上漲從此刻起持續(xù)數(shù)個季度。”
排版：劉珺宇
校對：彭其華
