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業(yè)績(jī)太炸裂！

今日（1月8日），全球芯片巨頭三星電子最新披露的業(yè)績(jī)顯示，2025年第四季度的營業(yè)利潤(rùn)高達(dá)20萬億韓元（約合人民幣965億元），同比大幅飆漲208%，高于市場(chǎng)預(yù)期。分析指出，這一業(yè)績(jī)主要受益于AI熱潮下的存儲(chǔ)芯片漲價(jià)潮。

另外，臺(tái)積電也傳來利好催化。據(jù)最新消息，臺(tái)積電3nm制程持續(xù)供不應(yīng)求，有業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電今年除調(diào)高3nm報(bào)價(jià)外，已暫時(shí)停止3nm新案啟動(dòng)。摩根大通、野村證券均在最新發(fā)布的報(bào)告中，大幅上調(diào)了臺(tái)積電的目標(biāo)價(jià)。

四季度營利飆漲208%

1月8日，三星電子發(fā)布了2025年第四季度初步業(yè)績(jī)，其中顯示，公司2025年第四季度的營業(yè)利潤(rùn)高達(dá)20萬億韓元，較上年同期大幅增長(zhǎng)208%，高于LSEG SmartEstimate預(yù)計(jì)的18萬億韓元。這將是三星有史以來最高的季度營業(yè)利潤(rùn)。

初步業(yè)績(jī)報(bào)告顯示，三星電子第四季度銷售額同比增長(zhǎng)23%，至93萬億韓元。這是三星單季銷售額連續(xù)兩個(gè)季度突破80萬億韓元，2025年第三季度的銷售額為86萬億韓元。

有分析指出，三星電子炸裂的業(yè)績(jī)背后是，供應(yīng)緊張和AI驅(qū)動(dòng)的需求激增推高了傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片的價(jià)格。

里昂證券韓國區(qū)研究主管Sanjeev Rana表示，2025年第四季度，DRAM芯片的平均售價(jià)環(huán)比上漲超30%，NAND閃存的平均售價(jià)環(huán)比上漲了約20%。

Counterpoint Research預(yù)測(cè)，2026年第一季度DDR5價(jià)格還將環(huán)比上漲40%，第二季度將進(jìn)一步增長(zhǎng) 20%。DDR5是當(dāng)前電腦和服務(wù)器采用的最新一代傳統(tǒng)DRAM。

另據(jù)最新消息，三星電子與其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士已向服務(wù)器、PC及智能手機(jī)用DRAM客戶提出漲價(jià)，今年一季度報(bào)價(jià)將較去年第四季度大幅上漲60%—70%。

關(guān)于存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲的原因，有機(jī)構(gòu)分析稱，一方面，芯片產(chǎn)業(yè)正轉(zhuǎn)向AI相關(guān)芯片的生產(chǎn)，傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能因此受到擠壓；另一方面，訓(xùn)練和運(yùn)行AI模型對(duì)傳統(tǒng)芯片與高端芯片的需求均在激增。

另外，在高帶寬存儲(chǔ)（HBM）領(lǐng)域，三星電子的進(jìn)展也超出市場(chǎng)預(yù)期。三星首席執(zhí)行官全永鉉此前表示，公司客戶對(duì)其下一代HBM芯片（即HBM4）的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)給予高度評(píng)價(jià)。

Counterpoint Research首席研究分析師Choi Jung-gu表示，HBM4中采用的先進(jìn)1c工藝節(jié)點(diǎn)和4nm邏輯工藝，在速度和散熱方面都滿足了客戶的需求，并取得了良好的效果。

Sanjeev Rana預(yù)計(jì)，隨著HBM4進(jìn)入商用階段，三星電子2026年的HBM出貨量將增加兩倍。

股價(jià)方面，三星電子今日股價(jià)一度大幅沖高，盤中最高漲超2%，再度創(chuàng)出歷史新高，隨后股價(jià)大幅回落，最終收跌1.56%。三星電子股價(jià)2025年全年的累計(jì)漲幅高達(dá)125%，創(chuàng)下二十六年來最大年度漲幅。

臺(tái)積電的利好

與此同時(shí)，臺(tái)積電也傳來重磅催化。據(jù)臺(tái)灣《工商時(shí)報(bào)》最新報(bào)道，臺(tái)積電先進(jìn)制程維持高產(chǎn)能利用率，其中3nm制程持續(xù)供不應(yīng)求。芯片業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電今年除調(diào)高3nm報(bào)價(jià)外，已暫時(shí)停止3nm新案啟動(dòng)。

業(yè)內(nèi)人士分析，主因在于訂單滿載、現(xiàn)有產(chǎn)能已難以負(fù)荷，短期內(nèi)擴(kuò)產(chǎn)速度亦難以追上客戶需求涌入。臺(tái)積電正鼓勵(lì)仍處于產(chǎn)品規(guī)劃初期的客戶，直接評(píng)估導(dǎo)入2nm制程，以利后續(xù)量產(chǎn)與成本配置。

另據(jù)摩根大通報(bào)告，臺(tái)積電2nm工藝流片數(shù)量達(dá)到3nm 同期的1.5倍，并有望憑借2nm工藝拿下全球AI加速器市場(chǎng)超過95%的份額。

摩根大通指出，臺(tái)積電為應(yīng)對(duì)由 AI 浪潮引發(fā)的“芯片饑渴”，已制定激進(jìn)的生產(chǎn)目標(biāo)，計(jì)劃至2026年底，2nm工藝的晶圓月產(chǎn)能將達(dá)到驚人的140000片。這意味著，高性能計(jì)算領(lǐng)域?qū)⒗^續(xù)高度依賴臺(tái)積電的先進(jìn)支撐。

摩根大通預(yù)測(cè)，2026年將是臺(tái)積電又一個(gè)強(qiáng)勁的增長(zhǎng)年，預(yù)計(jì)其營收將同比增長(zhǎng)30%，而2027年也將維持20%以上的增速。這一增長(zhǎng)背后的核心驅(qū)動(dòng)力毫無疑問是AI數(shù)據(jù)中心需求。

摩根大通將2024—2029年數(shù)據(jù)中心AI收入的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）預(yù)測(cè)從53%上調(diào)至57%。預(yù)計(jì)到2029年，數(shù)據(jù)中心AI業(yè)務(wù)將占臺(tái)積電總營收的40%以上（2024年這一比例僅為十幾的中位數(shù)）。

為了應(yīng)對(duì)從2026年延續(xù)到2028年的強(qiáng)勁需求，臺(tái)積電正在開啟新一輪的資本開支上行周期。

摩根大通預(yù)測(cè)，臺(tái)積電2026年資本開支約為480億美元，2027年將躍升至550億美元，以支持N2、N3及美國工廠的擴(kuò)產(chǎn)。

排版：汪云鵬

校對(duì)：冉燕青