期貨日報
譚亞敏
2026-03-21 07:57
在AI服務(wù)器需求持續(xù)強勁與消費電子供需格局變化的雙重作用下，2026年第一季度全球存儲芯片市場迎來超預(yù)期價格上漲。群智咨詢最新數(shù)據(jù)顯示，當季消費電子存儲價格比2025年第四季度漲幅超過60%，其中NAND閃存環(huán)比漲幅更是突破70%，創(chuàng)下近年來的單季最高漲幅紀錄。
本輪存儲芯片漲價呈現(xiàn)顯著的結(jié)構(gòu)性特征。AI服務(wù)器對HBM、DDR5等高帶寬內(nèi)存的需求持續(xù)旺盛，導致存儲原廠將產(chǎn)能優(yōu)先向高利潤產(chǎn)品傾斜，消費電子用DRAM與NAND的供應(yīng)規(guī)模被進一步壓縮。與此同時，存儲廠商與終端廠商的庫存水位持續(xù)處于低位，補庫存需求強烈，多重因素疊加放大了市場的供應(yīng)緊張缺口。
從細分產(chǎn)品來看，DRAM市場的緊缺行情仍在延續(xù)。2026年第一季度，以LPDDR4X和LPDDR5X為主的消費電子DRAM合約價環(huán)比大幅提升，其中手機應(yīng)用端DRAM合約價環(huán)比上漲60%至70%，遠超市場預(yù)期。隨著HBM4進入量產(chǎn)階段，更多產(chǎn)能向HBM傾斜，消費端DRAM的供應(yīng)規(guī)模被進一步擠壓。整體來看，DRAM供應(yīng)短缺問題短期內(nèi)難以緩解，二季度價格將維持上漲趨勢。
NAND市場同樣面臨供需失衡的局面。群智咨詢預(yù)計，2026年第二季度消費電子終端NAND價格將延續(xù)上漲態(tài)勢，其中手機應(yīng)用端NAND價格環(huán)比上漲40%至45%，消費級SSD價格環(huán)比上漲35%至40%。盡管二季度漲幅相比一季度的65%至70%有所收斂，但供需缺口短期內(nèi)難以得到實質(zhì)性緩解。
從供應(yīng)端來看，頭部存儲廠商優(yōu)先將3D NAND先進制程產(chǎn)能分配給企業(yè)級eSSD等高利潤產(chǎn)品，消費電子用NAND產(chǎn)能受到明顯排擠。同時，主流廠商的產(chǎn)能利用率已處于滿載狀態(tài)，難以快速釋放額外產(chǎn)能。群智咨詢分析認為，AI驅(qū)動的產(chǎn)能結(jié)構(gòu)性傾斜趨勢難以逆轉(zhuǎn)，新產(chǎn)能釋放存在周期性滯后，消費電子終端用NAND價格將延續(xù)上漲態(tài)勢。
這一輪存儲芯片漲價潮已開始向終端消費電子市場傳導。全球存儲芯片巨頭SK海力士此前表示，公司DRAM及NAND整體庫存僅剩約4周，處于歷史極低水平，從云廠商到消費電子終端廠商均無法獲得足額供應(yīng)。業(yè)內(nèi)普遍預(yù)計，存儲芯片漲價將貫穿2026年全年，智能手機和PC市場或?qū)⑦M入成本高企、產(chǎn)品路線圖調(diào)整的調(diào)整期。
